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Si7956DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.6
100
0.4
80
0.2
0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
- 0.8
- 1.0
- 1.2
I D = 250 μA
60
40
20
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperature ( °C)
Threshold Voltage
100
Time (s)
Single Pulse Power
Limited by R DS(on) *
I DM
Limited
10
100 μs
1
0.1
0.01
I D(on)
Limited
T A = 25 °C
Single Pulse
BVDSS Limited
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
0.02
Single Pulse
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 60 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 72960
S09-0223-Rev. B, 09-Feb-09
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